В работе исследовались состав и распределение компонентов по глубине Pd/Fe и Си/Al структур,
полученных атомным перемешиванием исходных структур ионами Аг+, Кг+, Хе+ с энергиями 20, 30 кэВ и
интегральными потоками от 2-1015 см'2 до ЗТО16 см'2. Анализ полученных структур проводился методом Резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием. Установлено, что при атомном перемешивании Pd/Fe и Си/А! структур, помимо процесса перемешивания в каскаде атомных столкновений, происходят процессы радиационно-стимулированной диффузии и распыления поверхности. Определены наиболее оптимальные режимы атомного перемешивания данных структуры.