Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250–800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si–SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено, что деградационные процессы наряду с изменением электрофизических характеристик структур Si–SiO2 проявлялись в изменениях спектров люминесценции, особенно в красной области. Схожесть изменений спектров КЛ и ЭЛ структур Si–SiО2 при полевых и радиационных воздействиях указывала на аналогичность протекающих при деградации физико-химических процессов, что подтверждалось качественным совпадением изменений зарядовых характеристик. Практическая неизменность спектрального состава люминесценции указывала на то, что протекающие при деградации процессы не приводят к образованию новых центров люминесценции, а изменяют концентрацию уже существующих биографических дефектов. Это свидетельствует о существовании прямой связи между деградационной стойкостью и технологией формирования окисного слоя на поверхности кремния.
