Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной

Расулов, Рустам Явкачович; Расулов, Вохоб Рустамович; Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович

Линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной

Расулов, Рустам Явкачович, Расулов, Вохоб Рустамович, Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:15:59Z

Аннотация:

Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получены выражения для средних значений квадрата модуля матричных элементов, рассчитанные относительно телесного угла волнового вектора дырок. Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм четырехфотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной.

Ключевые слова:
матричные элементы, оптические переходы, валентные зоны, линейно-циркулярный дихроизм

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 13-17