Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке

Филиппов, Владимир Владимирович (физик); Власов, Артур Николаевич; Бормонтов, Евгений Николаевич

Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке

Филиппов, Владимир Владимирович (физик), Власов, Артур Николаевич, Бормонтов, Евгений Николаевич

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:17:08Z

Аннотация:

Построена модель для расчета деформаций в структуре из произвольного числа тонких кристаллических слоев Si и Ge на неупругой пленке. Определены относительные деформации в слоях псевдоморфных Si и Ge в зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Построенная модель позволяет определять подвижность электронов напряженного n-Si на деформирующей подложке Ge(001) или SiGe(001). Показано возникновение эффекта концентрирования тока проводимости в напряженных каналах кремниевых транзисторов на подложке высокоомного германия.

Ключевые слова:
напряженная гетероструктура, кремний, германий, деформация, анизотропия

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 50-56