Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния

Каримов, Махамадали; Махкамов, Шермахмат; Турсунов, Нигматилла Алиакбарович; Бакиев, Саидамин Алимович; Махмудов, Шерзод Ахмадович; Саттиев, Абдулазиз Расулжонович; Акрамов, Фазлидин Суннатуллаевич

Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния

Каримов, Махамадали, Махкамов, Шермахмат, Турсунов, Нигматилла Алиакбарович, Бакиев, Саидамин Алимович, Махмудов, Шерзод Ахмадович, Саттиев, Абдулазиз Расулжонович, Акрамов, Фазлидин Суннатуллаевич

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:17:08Z

Аннотация:

Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом «медь – кислород» [Cu–O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si–Cu.