Показано, что в основе направленной самоорганизации электронного потока в полупроводниках может лежать резонансный механизм на неоднородностях, образованных фиксированным распределением диэлектрической проницаемости. В баллистическом режиме рассмотрено поведение резонансных значений амплитуд скорости потока в зависимости от факторов неоднородности.