Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Пчеляков, Олег Петрович; Двуреченский, Анатолий Васильевич; Никифоров, Александр Иванович; Войцеховский, Александр Васильевич; Григорьев, Денис Валерьевич; Коханенко, Андрей Павлович

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Пчеляков, Олег Петрович, Двуреченский, Анатолий Васильевич, Никифоров, Александр Иванович, Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Коханенко, Андрей Павлович

Дата публикации: 2010

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:21:04Z

Аннотация:

В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур с упорядоченным ансамблем нанокластеров Ge.

Ключевые слова:
наногетероструктуры, квантовые точки, молекулярно-лучевая эпитаксия, оптоэлектронные устройства

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64