Дата публикации: 2011

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:21:13Z

Аннотация:

На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей самосогласованным образом рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в SnSe. Обсуждены происхождение, орбитальный состав электронных состояний в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в валентной зоне, а также внесенное дефектом изменение электронной плотности.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 15-19