Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:21:52Z

Аннотация:

На основе допущения флуктуации электронной плотности при размытии зон выявлен расчётный параметр (радиус R) полуширины распределения вероятности по координате R на уровне максимальной флуктуации электронной плотности (при максимуме гауссовой функции). Но основе анализа процесса кристаллизации и высокотемпературных полиморфных превращений ОЦК → ГЦК по расчётному параметру (радиусу R) в твёрдой и жидкой фазах установлены причины возникновения ОЦК, ГЦК, гексагональной и тетрагональной структур из жидкой фазы, а также причины высокотемпературного перехода ОЦК → ГПУ в твёрдой фазе.

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 72-76