Рассмотрены основные электрофизические характеристики и низкотемпературные методы осаждения тонких пленок диоксида ванадия для создания активных электронных элементов с фазовым переходом металл-изолятор. Разработаны
процессы электрохимического осаждения пленок оксида ванадия на подложках кремний-диоксид титана. Установлено ориентирующее влияние подложки на процесс кристаллизации и температуры отжига на размер зерен полученных пленок.