Изготовлены и исследованы экспериментальные пленочные МДП-структуры с диэлектриком, состоящим из слоев SÍO2 и д-СзИ4. Измеренные на них вольт-фарадные характеристики и вычисленные по ним диэлектрические проницаемости этих материалов указывают на существенную роль зарядовых эффектов в д-СзИ4.