Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Приборно-технологическое моделирование РТ-БТИЗ, сформированного на объёмном кремнии

Тхань, Н. Ч., Ловшенко, И. Ю.

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2024-10-01T14:19:27Z

Аннотация:

Представлены результаты моделирования конструктивно-технологических параметров приборных структур асимметричного биполярного транзистора с изолированным затвором (РТ-БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии.

Ключевые слова:
материалы конференций, биполярные транзисторы, конструктивно-технологические параметры, приборно-технологическое моделирование

Тип: Article

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core