В интервале температур 233313 К определяли изотермы адсорбции СО на оксиде цинка. Показано, что при малой степени заполнения поверхности они описываются уравнением индуцированной адсорбции, которое отражает изменение поверхностной электронной плотности по мере увеличения покрытия поверхности адсорбатом. Адсорбированные молекулы СО находятся в двух положительно заряженных формах. Предварительная обработка поверхности плазмой тлеющего разряда в О2 способствует образованию дополнительных центров адсорбции.
