Элементы резистивной памяти на основе наноструктур с оксидами переходных металловЭлементы резистивной памяти
на основе наноструктур с оксидами переходных металлов
Электрический пробой твердых диэлектриков и горных пород на спаде импульса напряжения пробоя твердых диэлектриков и горных пород
на спаде импульса напряжения в резконеоднородном поле, которые
Электрический пробой тонких пленок MOSFET транзисторовЭлектрический пробой тонких пленок MOSFET транзисторов
Развитие разряда в водно-солевом растворе при напряжениях выше порогового значения анализ влияния процессов возникновения и гибели газовых полостей в растворе, а также плазмы в полостях
на О минимальном напряжении статического пробоя газоразрядного промежуткаНа основании условия самостоятельности разряда проведен теоретический анализ с целью выявления