Материалов:
1 082 141

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 1082141

Страница 1 из 108215

Зарядовые состояния МОП-структур
Жаворонок, И. А., Тихон, О. И.
of the processes occurring on the surface of MOS structures during plasma processing, the causes of the occurrence
Charge properties of a MOS transistor structure with a channel made of a two-dimensional crystal
Makovskaya, T. I., Danilyuk, A. L., Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko, V. E., Маковская, Т. И., Данилюк, А. Л., Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Борисенко, В. Е.
, appearing in traditional MOS transistors while decreasing their dimensions. In this paper the model has been
Изучение качества жизни пациентов с рассеянным склерозом при помощи опросников MSIS-29 и MOS SF 36
Коновалов О.Е., Тарбаева Е.А.
Изучение качества жизни пациентов с рассеянным склерозом при помощи опросников MSIS-29 и MOS SF 36
Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура
Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Борисенко, В. Е., Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko, V. E.
Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной
Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2
Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko, V. E., Lazzari, J. L.
Electronic and dynamical properties of MoS2 are determined by means of theoretical calculations
Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы
Богатырев, Ю. В., Ластовский, С. Б., Сорока, С. А., Шведов, С. В., Огородников, Д. А., Bogatyrev, Yu. V, Lastovsky, S. B., Soroka, S. A., Shwedov, S. V., Ogorodnikov, D. A.
режимами. The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS
Исследование электронных свойств двухмерного кристалла MoS2 посредством первопринципных методов моделирования : отчет о НИР (заключ.)
Стемпицкий, В. Р., Козлова, О. А., Бурко, В. А.
Исследование электронных свойств двухмерного кристалла MoS2 посредством первопринципных методов
Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками
Соловьев, Я. А.
Simulation of forward current-voltage characteristics for Schottky diodes with MOS trenches
Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)
Борисенко, В. Е., Кривошеева, А. В.
свойств двумерных кристаллов MoS2 и WS2. Установлено, что непрямозонные в объемном состоянии
Screening design and device/technology deep- submicron MOSFET simulation
Borovik, A. M., Trung Tran Tuan, Stempitsky, V. R., Боровик, А. М., Стемпицкий, В. Р.
deep- submicron MOS-FET model was investigated in the presented work. The screening

Страница 1 из 108215

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core