Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Курчин, Константин Николаевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Курчин, Константин Николаевич

Дата публикации: 2024

Дата публикации в реестре: 2025-02-11T14:42:48Z

Ключевые слова:
транзисторы с высокой подвижностью электронов, нитрид галлия, экспериментальное моделирование

Тип: статьи в сборниках

Источник: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 62-63

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация