Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 683560

Страница 1 из 68356

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Курчин, Константин Николаевич

транзисторы с высокой подвижностью электронов

Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения

Тернов, Р. Е.

Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов

Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Брудный, Валентин Натанович, Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Афонин, Антон Геннадьевич

высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Afonin, A. G., Brudnyi, Valentin N., Brudnyi, P. A., Velikovskii, L. E.

транзисторы с высокой подвижностью электронов

Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия

Волчёк, В. С.

Полевые транзисторы с модуляционно-легированной структурой (транзисторы с высокой

Лавинный пробой транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящим элементом на основе графена

Волчёк, В. С.

Одной из главных проблем транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Филиппов, Иван Андреевич, Шахнов, Вадим Анатольевич, Великовский, Леонид Эдуардович, Брудный, Павел Александрович, Демченко, Ольга Игоревна

транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние

Математическое моделирование как единый методологический подход в естественных и гуманитарных науках

Остапенко, А. В., Баранов, В. В., Калита, О. В.

электрических параметров транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур на базе GaN.

Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников

Волчёк, В. С., Дао Динь Ха, Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р.

для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов

Электрические характеристики полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов

Волоткович, С. В., Шапарь, А. В., Черный, В. В.

Электрические характеристики полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов

Страница 1 из 68356