Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

Подоскин А.А.; Шушканов И.В.; Слипченко С.О.; Пихтин Н.А.; Багаев Т.А.; Светогоров В.Н.; Яроцкая И.В.; Ладугин М.А.; Мармалюк А.А.; Симаков В.А.

Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

Подоскин А.А., Шушканов И.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Светогоров В.Н., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.

Дата публикации в реестре: 2025-05-27T14:24:34Z

Аннотация:

Рассмотрены токовые ключи на основе InP/AlInGaAs/InGaAsP-гетероструктур тиристорного типа, предназначенные для создания импульсных лазерных излучателей наносекундных длительностей на длину волны 1400-1600 нм. Для образцов токовых ключей с размером анодного контакта 200x250 мкм и двумя управляющими контактами 200x250 мкм продемонстрированы возможности получения токовых импульсов длительностью 3-5 нс и амплитудой до 6-8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц.

Ключевые слова:
thyristor, current switch, тиристор, токовый ключ, гетероструктура, лазерный излучатель

Тип: Article

Источник: Физика и техника полупроводников