Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 465530

Страница 1 из 46553

Расчетная оценка адсорбционно-десорбционного поведения продуктов пиролиза при получении GaAsxP1 –x в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAsВ статье указана фамилия М. А. Леликов

Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4-5 мкм

Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900-920 нм В, а выходная пиковая мощность достигала $\sim$170 Вт.

Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности амплитудой до 6-8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц.

Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 - 1.6 мкм

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 - 5 мкм

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Страница 1 из 46553