МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала

Петлицкая, Т. В.; Petlitskaya, Т. V.

МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала

Дата публикации: 2003

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:06:35Z

Аннотация:

целью работы является установление закономерностей изменения электрофизических параметров и упруго-механических свойств комбинированного диэлектрика на основе системы Ta205 / Si02 и создание с его использованием конденсаторов для интегральных схем памяти. The principal goal: determination of behavior of electro-physical and elastic mechanical properties of combination dielectric on base of system of Ta205 / Si02 and formation of capacitors for memory IC

Ключевые слова:
авторефераты диссертаций, канденсаторный диэлектрик, диэлектрическая проницаемость, интегральный конденсатор, capacitor dielectrics, dielectrics permeability, integrated capaci¬tor

Тип: Abstract of the thesis

МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация