МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС свойства. Установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда
в пленке Ta2O5 от радиуса
ЭФФЕКТ КОНДО И ОБЪЁМНЫЙ КОЛЛАПС В ЦЕРИИ модификациями. Среди множества гипотез относительно объёмного коллапса
в церии можно выделить гипотезу, согласно
Анализ причин неработоспособности кристаллов Ethernet контроллера 1990ВГ3ТТроицкий, В. Ю.,
Орешков, М. В.,
Захарченко, А. А.,
Трепалин, А. П.,
Петлицкая, Т. В.,
Филипеня, В. А. неработоспособности кристаллов интегральной микросхемы (ИМС) Ethernet контроллера 1990ВГ3
Т с применением неразрушающих
Анализ дефектов интегральных схем с использованием атомно-силового микроскопаПилипенко, В. А.,
Солодуха, В. А.,
Шведов, С. В.,
Петлицкий, А. Н.,
Петлицкая, Т. В.,
Шабалина, С. В.,
Устименк, Д. С. В работе представлены результаты комплексного анализа дефекта межслойного диэлектрика микросхемы
Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистораПилипенко, В. А.,
Солодуха, В. А.,
Петлицкий, А. Н.,
Шведов, С. В.,
Панфиленко, А. К.,
Петлицкая, Т. В.,
Филипеня, В. А.,
Жигулин, Д. В. В работе представлены результаты по получению вольтамперных характеристик (ВАХ) биполярного n