Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

The effect of Gd doping on carrier concentration in InGaAsSb layers grown by liquid phase epitaxy

Dolginov L.M., Tunitskaya I.V., Polyakov A.Y., Druzhinina L.V., Vinogradova G.V., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Borodina O.M., Kozhukhova E.A., Balmashnov A.A., Milnes A.G.

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T14:48:42Z

Аннотация:
Ключевые слова:
Gallium antimode, Indium arsenide, Semiconductors, Sulphur

Тип: Article

Права: open access

Источник: Thin Solid Films

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core