Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:20:02Z

Аннотация:

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of communications technology and electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289-293


Связанные документы (рекомендация CORE)