Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C

Романов, Иван Сергеевич; Прудаев, Илья Анатольевич; Брудный, Валентин Натанович

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C

Романов, Иван Сергеевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Брудный, Валентин Натанович

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:22:32Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэффициента диффузии для реальных температур роста 860, 910 и 980°С, значения составили 7.5∙10-17, 2.8∙10-16 и 1.2∙10-15 см2/с соответственно. Приведенные в работе значения температуры измерялись на поверхности растущего слоя in situ с помощью пирометра. Вычисленная энергия активации для температурной зависимости коэффициента диффузии составила 2.8 эВ.

Ключевые слова:
нитриды галлия, нитриды индия, магний, квантовые ямы, диффузия, пирометры, температура

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166