По вашему запросу найдено документов: 11645
Страница 1 из 1165
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.
Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Страница 1 из 1165
Фасеты
Новости проекта
Новости
-
2021-09-22, 21:09Cambridge University Press и Университет Вайоминга заключили соглашение об открытом доступе
-
2021-09-20, 21:07Журнал ION NAVIGATION переходит на открытый доступ с 1 января
-
2021-09-17, 11:39Журналы AAS полностью перейдут на модель открытого доступа
-
2021-09-15, 00:38Для перехода на зеленую энергию необходимо больше научной коммуникации
-
2021-09-12, 10:08Австралия отказалась от идеи запретить препринты
Партнеры
Индексация
