Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators

Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:29:17Z

Ключевые слова:
металл-диэлектрик-полупроводник, структура, варизонные слои, молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмиевый теллурид ртути

Тип: статьи в журналах

Источник: Thin solid films. 2012. Vol. 522. P. 261-266

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core