Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range

Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M.

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:30:11Z

Ключевые слова:
теллурид кадмия ртути, МДП-структуры, адмиттанс, варизонные слои

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core