Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Pishchagin, Anton A.; Serokhvostov, V. Yu.; Kokhanenko, Andrey P.; Voytsekhovskiy, Alexander V.; Nikiforov, Alexander I.; Lozovoy, Kirill A.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Pishchagin, Anton A., Serokhvostov, V. Yu., Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V., Nikiforov, Alexander I., Lozovoy, Kirill A.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:00:03Z

Ключевые слова:
адмитансная спектроскопия, квантовые точки

Тип: статьи в сборниках

Источник: Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015", October, 5-10, 2015, Tomsk, Russia. London, 2016. P. 45-48

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация