Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Прудаев, Илья Анатольевич; Романов, Иван Сергеевич; Олейник, Владимир Леонидович; Копьев, Виктор Васильевич

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Олейник, Владимир Леонидович, Копьев, Виктор Васильевич

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:04:41Z

Аннотация:

В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с ожерекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220 300 K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока.

Ключевые слова:
квантовый выход, нитрид индия-галлия, нитрид галлия, светодиоды, множественные квантовые ямы

Тип: статьи в журналах

Источник: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246