Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Izhnin, Igor I., Voytsekhovskiy, Alexander V., Korotaev, A. G., Fitsych, O. I., Pociask-Bialy, Malgorzata, Mynbaev, Karim D.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:06:32Z

Аннотация:

Ключевые слова:
ионно-лучевое фрезерование, реактивное ионное травление, молекулярно-лучевая эпитаксия, теллурид кадмия ртути

Тип: статьи в журналах

Источник: Opto-electronics review. 2017. Vol. 25, № 2. P. 148-170

Связанные документы (рекомендация CORE)