Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)

Коханенко, Андрей Павлович; Лозовой, Кирилл Александрович; Войцеховский, Александр Васильевич

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)

Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Войцеховский, Александр Васильевич

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:15:13Z

Аннотация:

Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и Si(111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.

Ключевые слова:
квантовые точки, кремний, германий, олово, наногетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, критическая толщина

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27