По вашему запросу найдено документов: 6216
Страница 1 из 622
CRITICAL THICKNESS OF EMITTING GAN/INGAN HETEROSTRUCTURESКРИТИЧЕСКАЯ ТОЛЩИНА В ИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GAN/INGAN
Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному
Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfacesкритическая толщина
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и составакритическая толщина
Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfacesкритическая толщина
Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Siкритическая толщина
Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремниякритическая толщина
Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surfaceкритическая толщина
Получение, механические и сверхпроводящие свойства наноструктурных многослойных композитов Nb/Nb–Ti ниобия. Толщина слоев изменялась от ∼ 140 до ∼ 2 нм. Использовали сверхпроводящие сплавы двух составов
Assessment of the Proximity of Design to Minimum Material Capacity Solution of Problem of Optimization of the Flange Width of I-Shaped Cross-Section Rods with Allowance for Stability Constraints or Constraints for the Value of the First Natural Frequency and Strength Requirements материала полок, для случая, когда варьируется только ширина полок, а высота сечения, толщина стенки и
Страница 1 из 622
Фасеты
Партнеры
Индексация
