Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Копьев, Виктор Васильевич; Прудаев, Илья Анатольевич; Романов, Иван Сергеевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Копьев, Виктор Васильевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:21:31Z

Аннотация:

Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатной температуре хорошо описывается ABC-моделью для обоих режимов накачки. При низких температурах для объяснения падения эффективности при режиме электролюминесценции необходимо дополнительно учитывать баллистическую утечку электронов из активной области.

Ключевые слова:
фотолюминесценция, электролюминесценция, нитрид галлия, нитрид индия-галлия

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 135-137