Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:25:53Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56


Связанные документы (рекомендация CORE)