Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Романов, Иван Сергеевич, Новиков, Вадим Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович, Прудаев, Илья Анатольевич

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:39:35Z

Ключевые слова:
светодиоды, гетероструктуры, квантовые ямы, нитрид галлия, квантовый выход

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core