Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
980 144

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Прудаев, Илья Анатольевич, Олейник, Владимир Леонидович, Ширапов, Сергей Баирович, Зубрилкина, Юлия Леонидовна

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:42:50Z

Ключевые слова:
светодиоды, светодиодные гетероструктуры, квантовые ямы, вольт-фарадные характеристики, фотопроводимость, экспериментальные данные

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 150-152

Связанные документы (рекомендация CORE)