Использование метода SILD получения материалов электронной техники

Галковский, Тимур Вячеславович; Богомазова, Наталья Валентиновна; Жарский, Иван Михайлович; Кукло, Л. И.; Толстой, В. П.

Использование метода SILD получения материалов электронной техники

Галковский, Тимур Вячеславович, Богомазова, Наталья Валентиновна, Жарский, Иван Михайлович, Кукло, Л. И., Толстой, В. П.

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-03-31T11:36:07Z

Аннотация:

Проведены исследования процессов формирования планарных пленок и гетероструктур, а также матрично-пленочных структур на основе функциональных полупроводниковых материалов. Планарные структуры формировались на стеклопластинах, покрытых слоем ITO (оксид индия-олова). Матрично-пленочные структуры формировались на кремниевых подложках, включающих поверхностный матричный слой пористого анодного оксида алюминия высотой 0,5–1 мкм.

Ключевые слова:
наноэлектронные устройства, метод SILD, жидкофазные прекурсоры, матрично-пленочные структуры, планарные пленочные структуры, химическая технология наслаивания

Тип: Article