Использование метода SILD получения материалов электронной техники-пленочных структур на основе функциональных полупроводниковых материалов.
Планарные структуры формировались на
Моделирование механизма параллельной кинематики на трех планарных позиционерахПредставлены результаты исследования
структуры и компьютерного моделирования механизма параллельной
Гистерезис вольтамперных характеристик пленочных структур g-C3N4Нами сформированы
пленочные структуры на основе графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4), на