Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами

Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.

Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А., Романова, И. А., Abramov, I. I., Kolomejtseva, N. V., Labunov, V. A., Romanova, I. A.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:56:29Z

Аннотация:

С использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными.

Ключевые слова:
публикации ученых, полевые транзисторы, графены, вольт-амперные характеристики, комбинированное моделирование

Тип: Статья

Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация