Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 764070

Страница 1 из 76407

Моделирование резонансно-туннельных структур на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Романова, И. А., Климович, А. Г., Abramov, I. I.

СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА БИОЛОГИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ НАЗЕМНЫХ И ЭПИФИТНЫХ ОРХИДНЫХ

Головкин, Б.Н., Коломейцева, Г.Л.

Уровень наших знаний о биохимических особенностях орхидных был оценен в данной работе. Мы сравнили

Моделирование резонансно-туннельных структур на основе графена : отчет о НИР (заключ.)

Коломейцева, Н. В., Романова, И. А., Абрамов, И. И., Щербакова, И. Ю., Abramov, I. I.

АДАПТИВНЫЕ ФЕНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕАКЦИИ ТРОПИЧЕСКИХ ОРХИДНЫХ ПРИ ИНТРОДУКЦИИ

Коломейцева, Г.Л., Кузнецов, А.Н.

Представлен список орхидных (37 видов из 19 родов), произрастающих в горном массиве Чуонг

Инструментарий для расчета характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Батура, М. П., Ермак, В. О.

В работе рассмотрен инструментарий, предназначенный для моделирования характеристик гетероструктур

Разработка принципов построения радиоприемных устройств на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А., Abramov, I. I.

радиотехнических свойств и характеристик. Методика включена в систему моделирования наноэлектронных

Инструментарий для расчета полевых транзисторов на основе двухслойного графена

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А.

В работе представлен инструментарий, реализующий квантовую диффузионно-дрейфовую модель полевого

Теоретическое исследование трехбарьерных резонансно-туннельных гетероструктур MoS2/WSe2 с вертикальным транспортом

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А.

Алгоритм и программа, реализующие модель полевых транзисторов на двухслойном графене

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Щербакова, И. Ю.

исследуемых приборов в зависимости от конструктивно-технологических параметров структур, а также вычислять

Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А., Щербакова, И. Ю.

В работе рассмотрено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов

Страница 1 из 76407