Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Войцеховский, Александр Васильевич; Несмелов, Сергей Николаевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Варавин, Василий Семенович; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич; Марин, Денис Викторович

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич, Марин, Денис Викторович

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:33:14Z

Аннотация:

Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов.

Ключевые слова:
варизонные пленки, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структуры, адмиттанс

Тип: статьи в журналах

Источник: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35