По вашему запросу найдено документов: 3916
Страница 1 из 392
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22TeПленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно
Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe слое полупроводниковой пленки HgCdTe
Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe слое пленки, которая хорошо соответствует концентрации легирующей примеси индия. Показано, что ВФХ МДП
Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измеренийваризонные слои
Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии магнитополевой зависимости сигнала фотопроводимости при освещении пленки со стороны подложки или со стороны
Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур диапазоне температур 8-100 К. Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа
Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭваризонные слои
Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature rangeваризонные слои
Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulatorsваризонные слои
Страница 1 из 392
Фасеты
Партнеры
Индексация
