Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:33:16Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL2 центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: p-i-n-, n-i-n- и p-i-p-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры p-i-p-типа.

Тип: статьи в журналах

Источник: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698