HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

Stepanov, Sergey I., Nikolaev, Vladimir I., Almaev, Aleksei V., Pechnikov, Aleksei I., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Kushnarev, Bogdan O., Polyakov, A. Y.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:36:04Z

Аннотация:

Ключевые слова:
пленки оксида галлия, сапфировые подложки, метод высокочастотного магнетронного распыления

Тип: статьи в журналах

Источник: Materials physics and mechanics. 2021. Vol. 47, № 4. P. 577-581

Связанные документы (рекомендация CORE)