Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Izhnin, Igor I.; Mynbaev, Karim D.; Yakushev, Maxim V.; Bonchyk, A. Yu.; Savytskyy, Hrygory V.; Świątek, Zbigniew; Morgiel, Jerzy; Korotaev, Alexander G.; Voytsekhovskiy, Alexander V.; Fitsych, Olena I.; Varavin, Vasilii S.; Dvoretsky, Sergei A.; Mikhailov, Nikolay N.

Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Izhnin, Igor I., Mynbaev, Karim D., Yakushev, Maxim V., Bonchyk, A. Yu., Savytskyy, Hrygory V., Świątek, Zbigniew, Morgiel, Jerzy, Korotaev, Alexander G., Voytsekhovskiy, Alexander V., Fitsych, Olena I., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:40:22Z

Аннотация:

We report on the results of comparative study of fluence dependence of defect layers in molecular-beam epitaxy-grown epitaxial film of p-Hg1-х CdхTe (х=0.22) implanted with arsenic ions with 190 keV energy and fluence 1012, 1013, and 1014 cm-2.

Ключевые слова:
эпитаксиальные пленки, флюенс, имплантация ионами мышьяка, наноразмерные дефектные слои, метод молекулярно-лучевой эпитаксии

Тип: статьи в сборниках

Источник: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2021), 25-27 August 2021, Lviv, Ukraine : abstract book. Kiev, 2021. P. 378-

Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация