Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Izhnin, Igor I.; Voytsekhovskiy, Alexander V.; Nesmelov, Sergey N.; Dzyadukh, Stanislav M.; Dvoretsky, Sergei A.; Mikhailov, Nikolay N.; Sidorov, Georgiy Yu.; Yakushev, Maxim V.

Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Izhnin, Igor I., Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T22:40:29Z

Аннотация:

Ключевые слова:
метод молекулярно-лучевой эпитаксии, электрические свойства, nBn-структуры

Тип: статьи в сборниках

Источник: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2021), 25-27 August 2021, Lviv, Ukraine : abstract book. Kiev, 2021. P. 44-

Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация