Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

Хлудков, Станислав Степанович; Прудаев, Илья Анатольевич; Толбанов, Олег Петрович; Ивонин, Иван Варфоломеевич

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

Хлудков, Станислав Степанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Ивонин, Иван Варфоломеевич

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2023-04-03T13:52:32Z

Аннотация:

Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники.

Ключевые слова:
арсенид галлия, нанокластеры, магнитные полупроводники, Кюри температура, экспериментальные исследования

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66