Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-06-20T10:15:42Z

Аннотация:

В настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектообразование в кристаллах (111) GaAs, имплантированных ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,0·10{13} Al{+}/см{2} – 8,1·10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре и фосфора с энергией 60 кэВ до дозы 4,0·10{14} Р{+}/см{2} после термического отжига в интервале температур 150−450 °С.

Тип: Thesis