По вашему запросу найдено документов: 3613
Страница 1 из 362
Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфорарезерфордовское обратное рассеяние
Влияние параметров осаждения на толщину модифицированного слоя при динамическом атомном перемешивании Pd/Fe-структуррезерфордовское обратное рассеяние
Влияние воздействия термического отжига на дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфорарезерфордовское обратное рассеяние ионов гелия
Элементный состав структуры Cu/Al, сформированной динамическим атомным перемешиваниемрезерфордовское обратное рассеяние
Влияние параметров ионно-ассистируемого осаждения на формирование Me/Si-структуррезерфордовское обратное рассеяние
Метод резерфордовского обратного рассеяния как способ изучения структуры вещества: основы и технологиирезерфордовское обратное рассеяние
Композиционный состав приповерхностных слоев структур Co/Si и Co/(Si+Xe), полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакуумерезерфордовское обратное рассеяние
Состав приповерхностных слоев структур Ti/Si и Cо/Si, полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакуумерезерфордовское обратное рассеяние
Особенности формирования тонких пленок функциональных покрытий, осажденных на кремнии ионно-лучевым распылением Mo, Crрезерфордовское обратное рассеяние
Распределение элементов по глубине в структурах Me/Ti, полученных ионно-ассистируемым осаждениемрезерфордовское обратное рассеяние
Страница 1 из 362
Фасеты
Партнеры
Индексация
