На основе предложенной квантовой диффузионно-дрейфовой модели полевых транзисторов на
двухслойном графене разработаны алгоритм и программное обеспечение, позволяющее рассчитывать выходные характеристики исследуемых приборов в зависимости от конструктивно-технологических параметров структур, а также вычислять значения ряда параметров.